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全球看點(diǎn):看全球|日本半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)分析

2023-06-19 12:29:27    來(lái)源:維科號(hào)

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引言

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(資料圖片)

日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程中曾創(chuàng)造了“輝煌”的歷史。20世紀(jì)80年代,日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的份額約為50%,一度超過(guò)了美國(guó)。但隨后日本的產(chǎn)業(yè)影響力逐年下降,近年來(lái)更是被中國(guó)、韓國(guó)等趕超,全球市場(chǎng)份額已大幅下滑。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展究竟經(jīng)歷了什么?在哪些細(xì)分領(lǐng)域還擁有較大優(yōu)勢(shì)?

01

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響力簡(jiǎn)析

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中的重要一環(huán),擁有一大批知名的半導(dǎo)體企業(yè)。從引進(jìn)美國(guó)技術(shù)到自主創(chuàng)新,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速崛起,并在20世紀(jì)80年代超越美國(guó)占據(jù)“頭把交椅”。雖然后面受美國(guó)打壓,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響力持續(xù)下滑,但在半導(dǎo)體材料、設(shè)備、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域依然擁有強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力,并積累形成了大一批知名企業(yè),主要分布在東京和九州硅島。例如,東京電子、迪恩士(SCREEN)、羅姆、尼康、鎧俠、瑞薩、東芝、日亞化學(xué)、大日本印刷、凸版印刷、大陽(yáng)日酸、關(guān)東電化、日立化成、富士美、東京應(yīng)化、JSR、信越化學(xué)等代表性企業(yè),在細(xì)分領(lǐng)域都擁有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

表1:日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要分布區(qū)域及重點(diǎn)企業(yè)

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來(lái)源:火石創(chuàng)造根據(jù)公開(kāi)資料整理

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)風(fēng)光無(wú)限,但現(xiàn)在已逐漸演變?yōu)檎蔚谰摺?019年,日本限制向韓國(guó)出口氟化聚酰亞胺、光刻膠和高純氟化氫3種半導(dǎo)體工藝材料,而韓國(guó)在氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純度氟化氫三種材料上對(duì)日本依賴(lài)度分別高達(dá)93.7%、91.9%、43.9%,一度打亂韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)程,直到2023年雙方才達(dá)成和解。2023年3月,日本稱(chēng)從7月開(kāi)始將把6類(lèi)23種高端半導(dǎo)體制造設(shè)備(14nm-10nm制程以下)加入到對(duì)華出口管制對(duì)象,涉及芯片清潔、沉積、光刻、蝕刻等環(huán)節(jié)。在地緣政治摩擦之下以及受美國(guó)的鉗制影響下,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)想要重新崛起,難度或?qū)⑹志薮蟆?/p>

02

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

日本政府集中資源十分重視研發(fā),支持大規(guī)模投資生產(chǎn)并參與全球競(jìng)爭(zhēng)。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大致有以下幾個(gè)階段:

1、以引進(jìn)美國(guó)技術(shù)為主的起步階段(1950-1970年):主要從美國(guó)引進(jìn)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)。1953年,東京通信工程株式會(huì)社以2.5萬(wàn)美元的白菜價(jià)從美國(guó)西屋電氣引進(jìn)了世界最先進(jìn)的晶體管技術(shù)。借助這項(xiàng)技術(shù),會(huì)社在1955年生產(chǎn)了世界上第一款袖珍收音機(jī)并正式改名“索尼”。1957年,日本政府頒布《電子工業(yè)振興臨時(shí)措施法》,通過(guò)立法扶持電子產(chǎn)業(yè),支持日本企業(yè)學(xué)習(xí)美國(guó)先進(jìn)技術(shù)來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1962年,日本NEC從美國(guó)仙童半導(dǎo)體購(gòu)買(mǎi)了平面光刻的生產(chǎn)工藝,擁有了集成電路的制造能力,同期日立、東芝和美國(guó)的RCA、通用電氣等達(dá)成了技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。1963年,日本政府要求NEC將獲得的半導(dǎo)體技術(shù)與其他企業(yè)分享,由此三菱等企業(yè)也開(kāi)始進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1968年,索尼和德州儀器成立合資公司。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就此形成。

2、以自主研發(fā)為主的厚積薄發(fā)階段(1970-1985年):“官產(chǎn)學(xué)”一體的科研體系促進(jìn)自主研發(fā)和國(guó)產(chǎn)化。在代工與技術(shù)引進(jìn)的基礎(chǔ)上,日本在20世紀(jì)70年代開(kāi)始使用“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的科研體系。典型的有VLSI計(jì)劃(超大規(guī)模集成電路研究計(jì)劃),該計(jì)劃由日本通產(chǎn)省牽頭,以日立、三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干,投資700多億日元。通過(guò)舉國(guó)體制集中人才等各類(lèi)優(yōu)勢(shì)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),極大地促進(jìn)各企業(yè)間的交流,日本的半導(dǎo)體水平逐漸趕上美國(guó),在特定的一些領(lǐng)域則超過(guò)美國(guó)。1982年,日本成為全球最大的DRAM生產(chǎn)國(guó)。1985年,日本第一次在市占率上超越美國(guó),成為全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)。同期,日本快速推進(jìn)半導(dǎo)體相配套的設(shè)備、材料的國(guó)產(chǎn)化。20世紀(jì)80年代,日本在半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈都擁有很強(qiáng)的話(huà)語(yǔ)權(quán)。

3、受美國(guó)打壓為主的衰落階段(1985-2000年):美國(guó)打壓、脫離全球產(chǎn)業(yè)鏈等導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)衰落。日制DRAM在質(zhì)量、價(jià)格和交貨時(shí)間方面均獲得很高評(píng)價(jià),使得80年代日制DRAM在全球市場(chǎng)中所占份額不斷上升,1982年超越美國(guó),1987年達(dá)到頂峰約80%。多年以來(lái)日本企業(yè)一直都在快速擴(kuò)張市場(chǎng),卻忽略了大部分技術(shù)都是從美國(guó)學(xué)來(lái)的。1985年美國(guó)針對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)起301調(diào)查,先后于1986年、1991年簽訂達(dá)成第一次、第二次半導(dǎo)體協(xié)議,使得日本半導(dǎo)體廠商的價(jià)格優(yōu)勢(shì)喪失,份額逐漸受到韓國(guó)及中國(guó)臺(tái)灣新興廠商的侵蝕。此外,日本采取了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)不同的產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),變向保護(hù)了本國(guó)市場(chǎng),卻脫離了全球產(chǎn)業(yè)鏈。

4、產(chǎn)業(yè)整體衰落伴隨實(shí)力分化為主的階段(2000年至今):政府大力投入但無(wú)法挽救衰落,逐漸往產(chǎn)業(yè)鏈上游實(shí)力分化。2000年后,日本政府對(duì)科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)行高額預(yù)算資金投入但依舊無(wú)法挽救日益走向衰落的產(chǎn)業(yè)。日本很注重基礎(chǔ)研究,但始終無(wú)法獲得成功,主要原因就在于無(wú)法將技術(shù)變?yōu)楫a(chǎn)品,將產(chǎn)品塑造成模式。傳統(tǒng)經(jīng)營(yíng)理念根深蒂固、業(yè)務(wù)分離不徹底等限制了企業(yè)的轉(zhuǎn)型發(fā)展。2002年,NEC將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)獨(dú)立出來(lái)成為子公司。2003年,日立和三菱的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門(mén)合并,成立瑞薩科技。在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成為獨(dú)立部門(mén)之初,企業(yè)都計(jì)劃將其轉(zhuǎn)型為水平分工模式,即工廠單獨(dú)分離成代工企業(yè),但都沒(méi)有很好的執(zhí)行下去,限制了企業(yè)的轉(zhuǎn)型發(fā)展。目前日本廠商主要針對(duì)NAND Flash、CIS(CMOS圖像傳感器)、汽車(chē)電子、功率分立器件等細(xì)分品類(lèi),在高端數(shù)字電路方面涉足不多。但值得注意的是,日本的技術(shù)實(shí)力依舊十分強(qiáng)大,許多人將這段時(shí)間稱(chēng)為“失去的二十年”,實(shí)際上日本已經(jīng)悄無(wú)聲息的完成了從產(chǎn)品到產(chǎn)業(yè)鏈上游的轉(zhuǎn)型。得益于良好的工業(yè)基礎(chǔ)和持續(xù)的技術(shù)積累,日本在材料和設(shè)備領(lǐng)域具有較強(qiáng)優(yōu)勢(shì),仍在全球市場(chǎng)占據(jù)非常重要的地位。

圖1:日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

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03

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特征

1、集中研發(fā)高投入,從國(guó)外引進(jìn)技術(shù)到產(chǎn)官學(xué)自主研發(fā)。舉國(guó)體制是日本實(shí)現(xiàn)電子行業(yè)追趕的有效模式,快速推進(jìn)了新技術(shù)和新產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

2、參與市場(chǎng)化競(jìng)爭(zhēng),成本質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)取勝。日本非常注重質(zhì)量管理體系和產(chǎn)品質(zhì)量,又在美國(guó)市場(chǎng)拓展上采用“價(jià)格永遠(yuǎn)低10%”策略的價(jià)格戰(zhàn),很快擴(kuò)大了全球市場(chǎng)份額。

3、政府出臺(tái)優(yōu)惠政策,大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。從起步階段密集的產(chǎn)業(yè)政策扶持,到2022年《半導(dǎo)體援助法》,再到2023年3月公布的“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)緊急強(qiáng)化方案”,政府政策扶持伴隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展的整個(gè)歷程。

4、貿(mào)易戰(zhàn)下妥協(xié)簽訂半導(dǎo)體協(xié)議,導(dǎo)致發(fā)展環(huán)境惡劣。美國(guó)曾經(jīng)兩次逼迫日本簽訂半導(dǎo)體協(xié)議,雖然第三次逼迫簽訂半導(dǎo)體協(xié)議失敗,遭到打擊的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速衰落。

5、脫離全球產(chǎn)業(yè)鏈,保護(hù)本國(guó)市場(chǎng)但失去了全球市場(chǎng)。在國(guó)際分工合作的趨勢(shì)下,日本采取了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)不同的產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),變向保護(hù)了本國(guó)市場(chǎng),卻脫離了全球產(chǎn)業(yè)鏈,無(wú)法參與到國(guó)際合作中。例如,日本在2G技術(shù)中沒(méi)有采用通用的GSM標(biāo)準(zhǔn)而是采用獨(dú)特PDC標(biāo)準(zhǔn),國(guó)外手機(jī)廠商無(wú)法進(jìn)入日本,日本的手機(jī)廠商也很難打開(kāi)海外市場(chǎng),后面重新放開(kāi)也依舊錯(cuò)失產(chǎn)業(yè)發(fā)展時(shí)機(jī)。

—END— 作者 | 火石創(chuàng)造 李葉平審核 | 火石創(chuàng)造 廖義桃殷莉如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)郵件

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